“十三五”期間，隨著大數據、云計算、第5代移動通信、物聯網以及人工智能等應用市場快速發展，全球移動用戶數將突破72億、移動互聯網用戶數超過40億，全球年數據流量增長達到復合年均增長率在25%以上，超過百萬億億字節。

 

　　根據咨詢機構Ovum數據，2016年，全球光通信器件市場規模達到96億美元，并始終保持快速增長，預期2020年收入規模將達到166億美元。其中，電信市場和數據通信市場對光通信器件的需求保持穩定的增長，而接入網市場需求趨于平穩。

 

　　雖然近十年來，我國的光通信產業取得了迅猛發展和驕人成績。國產光通信設備廠家在全球光通信設備市場份額中占據第一的位置，但是光通信器件產業與國際領先水平還有較大差距，目前國內核心的光通信芯片及器件仍然嚴重依賴于進口，高端光通信芯片與器件的國產化率不超過10%，“大而不強”的問題突出。

 

　　2016年美國將中興通訊納入出口限制名單，華為手機從韓國采購5.3萬億韓元芯片等現象，就是對我國信息技術產業發展敲響的警鐘。

 

　　高端光通信器件芯片與配套集成電路（IC）芯片作為光通信器件的瓶頸，也就是信息技術產業瓶頸中的難題，對我國正在大力發展的光通信產業，已造成極高的產業安全風險，其產業戰略重要性與核心技術發展與突破的緊迫性是不言而喻的。

 

　　與設備、光纖光纜市場相比，光通信器件領域還處在充分競爭時代，由于很多光通信器件企業都是在某一細分領域精耕細作，造成了廠商眾多、集中度低的市場格局，市場份額也相對比較分散。2016年，全球市場份額排名前10位的廠商中，美日公司占據9席位。

 

　　而國內企業在無源器件、低速光收發模塊等中低端細分市場較強，但在高端有源器件、光模塊方面的提升空間還很大。從盈利能力看，光通信器件行業本身在整個產業鏈中的盈利能力是最低的，再加上國內企業集中在中低端產品，盈利水平更是微薄。使得國內大部分廠家無法投入更多資金用于高端產品的技術研發，難以實現健康可持續發展。

 

 

　　如何改變大而不強的現狀，《路線圖》提出了細致的可行性發展方向。其中，提到將改善企業生存環境，營造良性產業生態。國內的產學研沒有形成面對產業需求的創新合力，高校和研究所偏離產業的現實需求。應健全以企業為主體、市場為導向、政產學研用相結合的產業技術創新體系，著力突破重點領域共性關鍵技術，加速科技成果轉化為現實生產力。

 

　　加強國際市場，推動產業國際化發展。目前，光通信器件產業對國內市場的依賴較大，國際化空間有待拓展，而且面臨貿易、安全、專利等多重挑戰。需借助國家“一帶一路”戰略，積極培育亞洲、非洲的光通信市場，促使其加強網絡建設投入，并且通過國外建廠實現國際化生產，通過國外建設研究中心實現國際化研發。

 

　　重視發展趨勢，著眼長遠發展，超前規劃布局。遵循科技創新與市場發展規律，著眼長遠發展，超前規劃布局。重視基礎研究，通過原創性、基礎性、先導性技術的突破，加大投資保障力度。核心技術是產業“命門”。光通信器件產業核心技術必須掌握在中國手中，“大產業”才可能變成“強產業”。

 

　　培育龍頭領軍企業和新興中小企業。壯大薄弱環節產業群體培育龍頭領軍企業，在核心技術開發、標準制定等多方面帶動產業做大做強。培育具有原創核心技術和自主知識產權的新興中小企業。在政策、資金等資源上予以傾斜，強調比較優勢和差異化競爭。強化全球資源整合能力，支持企業在供應鏈、戰略方向與資源布局合作，有效利用全球各地區的資源。爭取2020年有2~3家企業進入全球光通信器件前十強，并且在核心技術能力上接近、部分領域超過行業標桿企業。2022年國內企業占據全球光通信器件市場份額的30%以上，有1家企業進入全球前3名。

 

　　推動上下游產業鏈互聯互通，規范產業環境，構建產業生態傳統封閉的產業生態體系限制了創新，融合變革形式下，競爭日益需要綜合性資源與能力，構建涵蓋開放的產業生態系統。我國光通信器件產業更應加強上下游聯動，一方面，推動國內系統設備廠家優先選用國產光器件，充分發揮國內市場、優質設備商的帶動作用；另一方面，產業鏈上下游可以共同開展技術研發，建立測試平臺，共同培育應用生態，參與國際標準制定，從而共同提升主導能力。

 

　　搭建產業技術協作與創新平臺，構建長效的創新發展機制。加快信息光電子國家制造業創新中心建設，發揮行業骨干企業主導作用，有效整合國內外各類創新資源，建立聯合開發、優勢互補、成果共享、風險共擔的協同創新機制；開展產業前沿技術研究與共性關鍵技術研發，突破產業鏈關鍵技術與共性技術供給瓶頸；促進科技成果商業化應用，打造多層次人才隊伍；支撐新一代信息技術產業發展，帶動相關產業轉型升級。加強核心有源激光器、硅基光電子芯片及上游關鍵材料等設計、制造工藝平臺建設與工藝人才培養。

 

　　這其中，我國的半導體激光器產業化水平是光通信產業鏈中最薄弱的環節，高端激光器芯片（主要指25Gb/s以上）幾乎全部依賴進口。25Gb/s激光器芯片、硅基100Gb/s/200Gb/s相干光收芯片、WSS芯片以及配套的半導體集成電路（IC）研發所需要的，可工程化的Ⅲ-Ⅴ族材料工藝、硅基光電子工藝平臺能力，是制約國內企業與研究機構在核心芯片上快速創新的瓶頸，也是制約國產芯片大規模應用的主要瓶頸。需要通過搭建共性技術研發平臺，加大人才的儲備、引進海外高端人才的方式加快補齊短板。

 

 

　　《路線圖》中建議，國家加大對光電子芯片共性關鍵技術的研發資金支持，迅速提高核心器件國產化率，培育具有國際競爭力大企業制定并出臺具體的支持政策，并加大中央財政投入力度；設立國家信息光電子產業創新中心與發展基金，扶持我國光通信器件領域的若干示范企業，推進擁有核心技術的初創企業產業化，促進企業盡快完成轉型升級。

 

　　爭取光電子企業享有與集成電路企業相同的產業政策、稅收政策和人才政策。推進企業整合，優化企業結構，提高企業集中度，形成3~5家符合國家戰略的、重大技術工藝發展方向的行業龍頭企業，以適應長期發展的新形勢和國際市場競爭的需要。推進政、銀、企大力協同、調動、引導、挖掘相關資源，廣泛建立銀企金融合作的項目開發平臺。

 

　　優化光電子產業生態，加強國際合作，迅速提升集成光通信器件能力整合產業中分散化的研發力量，完善創新體系與產業生態環境。重點建立光電子芯片公益性加工平臺，為高端光電子芯片研發和生產提供技術支撐和服務。

 

　　建立光通信器件設計和制備技術標準化體系，增強產業群體國際話語權。鼓勵企業擴大國際合作，整合并購國際資源，設立海外研發中心，積極拓展國際市場。優化環境，大力吸引國外資金、技術和人才，承接國際高端產業轉移，吸引外資企業建設研發中心、生產中心和運營中心。鼓勵在華研究機構加大研究投入力度和引進高端研發項目，推動外資研發機構和本地機構的合作。充分利用歐美國家在光子集成芯片等高端光通信器件方面的技術優勢，實現我國光通信器件跨越發展。加強產學研合作，完善繼續教育和在職培訓機制，優化教育學科配置，完善產業后備人才隊伍建設。（記者 郭宇）